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P0102BN

更新时间: 2024-02-21 05:46:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 光电二极管栅极
页数 文件大小 规格书
7页 159K
描述
0.8A, 200V, SCR

P0102BN 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.63
其他特性:SENSITIVE GATE外壳连接:ANODE
标称电路换相断开时间:200 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:25 V/us最大直流栅极触发电流:0.2 mA
最大直流栅极触发电压:0.8 V最大维持电流:5 mA
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
最大漏电流:0.001 mA通态非重复峰值电流:8 A
元件数量:1端子数量:4
最大通态电流:500 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:0.8 A断态重复峰值电压:200 V
重复峰值反向电压:200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

P0102BN 数据手册

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