Datasheet > 存储 > 闪存> M58LT128GST1ZA5F

M58LT128GST1ZA5F

更新时间： 2024-01-25 04:33:49

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
98页	695K
描述
128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst) 1.8V Supply Secure Flash Memories

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M58LT128GST1ZA5F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	10 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-64
针数：	64	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.54	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	110 ns	其他特性：	ALSO OPERATES IN SYNC-REGISTERED MODE
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B64	长度：	13 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	4,127	端子数量：	64
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装等效代码：	BGA64,8X8,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	页面大小：	8 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8,3/3.3 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,64K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.047 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

M58LT128GST1ZA5F 数据手册

M58LT128GST

M58LT128GSB

128Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst)

1.8V Supply Secure Flash Memories

PRELIMINARY DATA

Features Summary

■ SUPPLY VOLTAGE

BGA

– V_DD= 1.7 to 2.0V for program, erase and

read

– V_DDQ= 2.7 to 3.6V for I/O Buffers

– V_PP= 9V for fast program

TBGA64 (ZA)

10 x 13mm

■ SYNCHRONOUS / ASYNCHRONOUS READ

– Random Access: 110ns

– Asynchronous Page Read: 25ns.

– Synchronous Burst Read: 52MHz

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

■ SYNCHRONOUS BURST READ SUSPEND

■ PROGRAMMING TIME

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– 10µs typical Word program time using

Buffer Enhanced Factory Program

command

– Manufacturer Code: 20h

– Device Code:

M58LT128GST: 88C6h

M58LT128GSB: 88C7h

■ MEMORY ORGANIZATION

– Multiple Bank Memory Array:

8 Mbit Banks

■ ECOPACK^®PACKAGE AVAILABLE

– Parameter Blocks (Top or Bottom location)

■ DUAL OPERATIONS

– program/erase in one Bank while read in

others

– No delay between read and write

operations

■ HARDWARE PROTECTION

– All Blocks Write Protected when V_PP≤V_PPLK

■ SECURITY

– Software Security Features

– 64-bit Unique Device Identifier

– 2112 bits of User-Programmable OTP

memory

■ COMMON FLASH INTERFACE (CFI)

Rev 1.0

September 2005

1/98

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...98

下载PDF

与M58LT128GST1ZA5F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M58LT128HB85ZB5F	STMICROELECTRONICS	8MX16 FLASH 1.8V PROM, 85ns, PBGA56, 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-56	获取价格
M58LT128HSB	STMICROELECTRONICS	128-Mbit (8 Mb 】16, Multiple Bank, Multilevel	获取价格
M58LT128HSB	NUMONYX	128 Mbit (8 Mb 】16, multiple bank, multilevel	获取价格
M58LT128HSB8ZA6	NUMONYX	128 Mbit (8 Mb 】16, multiple bank, multilevel	获取价格
M58LT128HSB8ZA6E	NUMONYX	128 Mbit (8 Mb 】16, multiple bank, multilevel	获取价格
M58LT128HSB8ZA6F	NUMONYX	128 Mbit (8 Mb 】16, multiple bank, multilevel	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M58LT128GST1ZA5F

M58LT128GST1ZA5F 技术参数

M58LT128GST1ZA5F 数据手册

与M58LT128GST1ZA5F相关器件

与M58LT128GST1ZA5F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M58LT128GST1ZA5F

M58LT128GST1ZA5F 技术参数

M58LT128GST1ZA5F 数据手册

与M58LT128GST1ZA5F相关器件

与M58LT128GST1ZA5F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？