M28W320EBT90ZB1T

更新时间： 2024-02-19 20:11:47

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存内存集成电路
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45页	300K
描述
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory

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M28W320EBT90ZB1T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	6.39 X 6.37 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-47	针数：	47
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.21
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	TOP BOOT BLOCK
启动块：	TOP	JESD-30 代码：	R-PBGA-B47
长度：	6.39 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	47
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	类型：	NOR TYPE
宽度：	6.37 mm	Base Number Matches：	1

M28W320EBT90ZB1T 数据手册

M28W320EBT

M28W320EBB

32 Mbit (2Mb x16, Boot Block)

3V Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■ SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

– V = 2.7V to 3.6V Core Power Supply

– V

= 1.65V to 3.6V for Input/Output

DDQ

FBGA

– V = 12V for fast Program (optional)

■ ACCESS TIME: 70, 85, 90,100ns

■ PROGRAMMING TIME

TFBGA47 (ZB)

6.39 x 6.37mm

– 10µs typical

– Double Word Programming Option

– Quadruple Word Programming Option

■ COMMON FLASH INTERFACE

■ MEMORY BLOCKS

– Parameter Blocks (Top or Bottom location)

– Main Blocks

■ BLOCK PROTECTION on TWO PARAMETER

TSOP48 (N)

12 x 20mm

BLOCKS

– WP for Block Protection

■ AUTOMATIC STAND-BY MODE

■ PROGRAM and ERASE SUSPEND

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Code, M28W320EBT: 88BCh

– Bottom Device Code, M28W320EBB: 88BDh

October 2002

1/45

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