BUL1101E

更新时间： 2024-01-26 18:06:47

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管高压局域网
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描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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BUL1101E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	450 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	6	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUL1101E 数据手册

BUL1101E

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTOR

PRELIMINARY DATA

■

HIGH VOLTAGE CAPABILITY

LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS

MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR

RELIABLE OPERATION

■

VERY HIGH SWITCHING SPEED

LARGE RBSOA

APPLICATIONS

■

ELECTRONIC BALLASTS FOR

FLUORESCENT LIGHTING

DESCRIPTION

TO-220

The device is manufactured using High Voltage

Multi Epitaxial Planar technology for high

switching speeds and high voltage capability. It

uses a Cellular Emitter structure with planar edge

termination to enhance switching speeds while

maintaining a wide RBSOA.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CES

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Emitter Voltage (V_BE= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

Unit

1100

450

V_(BR)EBO

I_CM

Collector Peak Current (t_p<5 ms)

Base Current

I_B

1.5

I_BM

Base Peak Current (t_p<5 ms)

Total Dissipation at Tc = 25 ^oC

Storage Temperature

P_tot

^oC

T_stg

T_j

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/7

April 2003

12 3 4 5 6 7

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