2N7000G

更新时间： 2024-01-01 21:11:57

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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描述
N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET

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2N7000G 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-226AA	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2N7000G 数据手册

2N7000

2N7002

N-channel 60V - 1.8Ω - 0.35A - SOT23-3L / TO-92

STripFET™ Power MOSFET

General features

Type

V_DSS

R_DS(on)

I_D

2N7000

2N7002

60V

<5Ω (@10V) 0.35

<5Ω (@10V) 0.20

■ Low Qg

■ Low threshold drive

SOT23-3L

TO-92

Description

This MOSFET is the second generation of

STMicroelectronics unique “Single Feature

Size™” strip-based process. The resulting

transistor shows extremely high packing density

for low on-resistance, rugged avalanche

characteristics and less critical alignment steps

therefore a remarkable manufacturing

reproducibility.

Internal schematic diagram

Applications

■ Switching application

SOT23-3L

Package

TO-92

Order codes

Part number

Marking

Packaging

2N7000

2N7002

2N7000G

STN2

TO-92

Bulk

SOT23-3L

Tape & reel

June 2006

Rev 7

1/14

www.st.com

12 3 4 5 6 7...14

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