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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
测试二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 71K |  |
| 描述 | ||
| 9.1V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | TEMPERATURE COMPENSATED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 9.1 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 电压温度Coeff-Max： | 0.182 mV/ °C | 工作测试电流： | 0.5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N4768 | LGE | 暂无描述 |
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| 1N4768 | LUNSURE | ZENER DIODES |
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| 1N4768 | MICROSEMI | 9.1 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N4768 | CDI-DIODE | 9.1 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE + 5% |
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| 1N4768 | NJSEMI | 9.1 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N4768 | DIGITRON | Temperature Compensated Zener Diode; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 8.645; Max TMS B |
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