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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 35K |  |
| 描述 | ||
| 40A, 1000V, SILICON, RECTIFIER DIODE | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DO-5 | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| 针数： | 1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-5 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e2 | 最大非重复峰值正向电流： | 500 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最大输出电流： | 35 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver (Sn/Ag) |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N3768RPBF | VISHAY | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
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| 1N3770 | NJSEMI | DIODE |
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| 1N3772 | ETC | FOUR-LAYER (SHOCKLEY) DIODE|20V V(BO) MAX|400UA I(S)|DO-204AA |
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| 1N3773 | NJSEMI | GERMANIUM DIODES |
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| 1N3773 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
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| 1N3773R | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 25V V(RRM), Germanium, |
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