5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 35K |  |
| 描述 | ||
| 40A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 700 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 40 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 最大功率耗散： | 44 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 最大反向电流： | 500 µA |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N3766RPBF | VISHAY | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
获取价格 |
|
| 1N3767 | NJSEMI | Silicon Power Rectifier |
获取价格 |
|
| 1N3767 | VISHAY | Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A |
获取价格 |
|
| 1N3767 | MICROSEMI | Silicon Power Rectifier |
获取价格 |
|
| 1N3767 | INFINEON | 35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes |
获取价格 |
|
| 1N3767PBF | INFINEON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN |
获取价格 |
|
MAX487芯片引脚图及功能、应用领域详解
IR2110驱动芯片引脚图及功能、电路图详解
74LS74是什么芯片 74LS74引脚图及功能表
CD4511芯片引脚图及功能、电路图解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
