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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.31 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-111 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6188E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| 2N6189 | SSDI | 5 AMP HIGH SPEED PNP TRANSISTOR 100 VOLTS |
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| 2N6189 | NJSEMI | 10 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6190 | SEME-LAB | PNP SILICON TRANSISTORS |
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| 2N6190 | NJSEMI | 5 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
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| 2N6190 | APITECH | Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, |
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