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2N5338

更新时间: 2024-01-31 09:42:10
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SSDI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 286K
描述
5 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 100 VOLTS

2N5338 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.74最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):30 MHz最大关闭时间(toff):2700 ns
最大开启时间(吨):200 nsBase Number Matches:1

2N5338 数据手册

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