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2N5093A

更新时间: 2024-02-04 14:48:40
品牌 Logo 应用领域
SSDI 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
2页 200K
描述
HIGH VOLTAGE SILICON DIFFUSED PNP TRANSISTORS

2N5093A 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):1 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):20最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):2 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
标称过渡频率 (fT):4 MHzBase Number Matches:1

2N5093A 数据手册

 浏览型号2N5093A的Datasheet PDF文件第2页 

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