是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-61 |
包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.46 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 10 A |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 70 | JESD-30 代码: | O-MUPM-D3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
功耗环境最大值: | 116 W | 最大功率耗散 (Abs): | 100 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 40 MHz | VCEsat-Max: | 0.9 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5009E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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2N5010 | MICROSEMI | NPN SILICON TRANSISTOR |
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2N5010 | DIGITRON | TRANSISTOR,BJT,NPN,500V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-5 |
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2N5010 | SEME-LAB | SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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2N5010 | NJSEMI | NPN TO-39/TO-5 |
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2N5010 | Silicon Epitaxial NPN Transistor |
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