2N3906

更新时间： 2024-01-21 04:29:02

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SSC		晶体晶体管开关 PC
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4页	256K
描述
TRANSISTOR(PNP)

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2N3906 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

2N3906 数据手册

2N3906

TRANSISTOR(PNP)

PRODUCT SUMMARY

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TO-92

FEATURES

PNP silicon epitaxial planar transistor for switching and

Amplifier applications

As complementary type, the NPN transistor 2N3904 is

Recommended

1.EMITTER

2.BASE

3. COLLECTOR

This transistor is also available in the SOT-23 case with

the type designation MMBT3906

1 2 3

MAXIMUM RATINGS (T_A=25 ^oC unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

-40

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-40

-5

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-0.2

P_C

0.625

150

℃

T_J

T_stg

Storage Temperature

-55-150

03/17/2008 Rev.1.00

www.SiliconStandard.com

12 3 4

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