是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA56,8X10,32 |
针数: | 56 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.7 |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | SRAM IS ORGANIZED AS 256K X 16 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B56 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 9 mm | 内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度: | 16 |
混合内存类型: | FLASH+SRAM | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 56 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -30 °C |
组织: | 2MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA56,8X10,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Other Memory ICs |
最大压摆率: | 0.048 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.1 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MB84VD22194FM-70PBS-E1 | SPANSION | Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA56, PLASTIC, FBGA-56 |
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MB84VD2228 | FUJITSU | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 8M (x 8/x16) STATIC RAM |
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MB84VD22280FA-70 | SPANSION | 32M (X16) FLASH MEMORY & 8M (X16) STATIC RAM |
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MB84VD22280FA-70PBS | SPANSION | 32M (X16) FLASH MEMORY & 8M (X16) STATIC RAM |
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MB84VD22280FA-70PBS-E1 | SPANSION | Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA59, PLASTIC, FBGA-59 |
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MB84VD22280FE-70PBS | SPANSION | Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA59, PLASTIC, FBGA-59 |
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