生命周期: | Active | 包装说明: | FBGA, BGA56,8X10,32 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.69 |
最长访问时间: | 70 ns | JESD-30 代码: | R-PBGA-B56 |
内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT | 混合内存类型: | FLASH+SRAM |
端子数量: | 56 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -30 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA56,8X10,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
电源: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Other Memory ICs |
最大压摆率: | 0.048 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | HYBRID |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MB84VD2218XEC | FUJITSU | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
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MB84VD2218XEG | FUJITSU | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
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MB84VD22190FA-70PBS-E1 | SPANSION | Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA59, PLASTIC, FBGA-59 |
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MB84VD22191EC | FUJITSU | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
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MB84VD22191EC-90 | FUJITSU | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
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MB84VD22191EC-90-PBS | FUJITSU | 32M (x 8/x16) FLASH MEMORY & 4M (x 8/x16) STATIC RAM |
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