CXG1216UR

更新时间： 2024-02-23 16:00:58

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索尼 - SONY		射频和微波开关射频开关微波开关 ISM频段
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描述
High Power DP4T Switch with Logic Control

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CXG1216UR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	LCC20,.11SQ,16
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	1dB压缩点：	32 dBm
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
最大输入功率 (CW)：	33.98 dBm	最大插入损耗：	0.7 dB
最小隔离度：	20 dB	JESD-609代码：	e6/e4
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	20	最大工作频率：	2170 MHz
最小工作频率：	830 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-35 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	LCC20,.11SQ,16	电源：	2.8 V
射频/微波设备类型：	DIVERSITY SWITCH	子类别：	RF/Microwave Switches
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
端子面层：	TIN BISMUTH/PALLADIUM	最大电压驻波比：	1.2
Base Number Matches：	1

CXG1216UR 数据手册

High Power DP4T Switch with Logic Control

CXG1216UR

Description

The CXG1216UR can be used in wireless communication systems, for example, dual-band and triple-band

CDMA handsets.

This IC has on-chip logic for operation with 4 COMS control inputs.

The Sony JPHEMT process is used for low insertion loss and on-chip logic circuit.

(Applications: Antenna switch for cellular handsets, dual-band and triple-band CDMA)

Features

Low insertion loss: 0.35dB@900MHz, 0.50dB@2GHz

4 CMOS compatible control line

Package

Small package size: 20-pin UQFN

Structure

GaAs JPHEMT MMIC

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25^°C)

Input power max. (RF port) Pin

dBm

Bias voltage

V^DD

Vctl

Topr

Control voltage

Operating temperature

Storage temperature

–35 to +85

^°C

Tstg –65 to +150

^°C

This IC is an ESD sensitive device. Special handling precautions are required.

The actual ESD test data will be available later.

Sony reserves the right to change products and specifications without prior notice. This information does not convey any license

by any implication or otherwise under any patents or other right. Application circuits shown, if any, are typical examples illustrating

the operation of the devices. Sony cannot assume responsibility for any problems arising out of the use of these circuits.

E06947

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