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ST04-14F1

更新时间: 2024-01-30 22:57:19
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新电元 - SHINDENGEN 二极管齐纳二极管测试光电二极管
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1页 697K
描述
Power zener Diode

ST04-14F1 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.79Is Samacsys:N
最大击穿电压:15 V最小击穿电压:13.5 V
击穿电压标称值:14.25 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-C2最大非重复峰值反向功率耗散:400 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:12.8 V
最大反向电流:5 µA反向测试电压:12.8 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

ST04-14F1 数据手册

  

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