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W01

更新时间： 2024-01-30 15:29:28

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2页	240K
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1.5A SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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W01 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PBCY-W4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	50 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PBCY-W4
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
最大重复峰值反向电压：	50 V	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

W01 数据手册

W005 THRU W10

1.5A SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIERS

Reverse Voltage – 50 to 1000 Volts

Forward Current – 1.5 Amperes

Features

• Surge overload rating – 50 amperes peak

• Ideal for printed circuit boards

• Reliable low cost construction utilizing molded

plastic technique results in inexpensive product

• Mounting Position: Any

Absolute Maximum Ratings and Characteristics

Ratings at 25^oCambient temperature unless otherwise specified. Single-phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Symbols W005 W01

W02 W04 W06 W08 W10 Units

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

800

Maximum DC blocking voltage

100

1000

Maximum average forward rectified current

at T_A= 25 ^OC

Peak forward surge current ,

8.3mS single half sine-wave superimposed

on rated load

I_(AV)

1.5

I_FSM

Rating for fusing (t<8.35ms)

I²t

A²t

Maximum forward voltage drop per element at 1A peak

V_F

Maximum reverse current at rated T_A= 25 ^OC

1.0

µA

I_R

DC blocking voltage per element T_A= 100 ^OC

Operating temperature range

Storage temperature range

T_J

-50 to +125

-50 to +150

^OC

T_A

^OC

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Semtech International Holdings Limited, acompany

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 03/12/2002

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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