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KM616U4110CLZI-8L

更新时间： 2024-02-11 14:51:56

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	164K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, MICRO, BGA-48

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KM616U4110CLZI-8L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	85 ns
其他特性：	BATTERY BACKUP OPERATION	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	8.9 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.94 mm	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6.1 mm
Base Number Matches：	1

KM616U4110C Family

CMOS SRAM

Document Title

256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

Initial draft

July 4, 1998

Preliminary

0.01

Errata correction

August 17, 1998

1.0

Finalize

November 16, 1998 Final

- Specified CSP type.

- Errata correction

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and

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Revision 1.0

November 1998

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KM616V1000BLRI-10L	SAMSUNG	Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44	获取价格
KM616V1000BLT-10L	SAMSUNG	Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	获取价格
KM616V1000BLT-7L	SAMSUNG	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	获取价格
KM616V1000BLTI-10	SAMSUNG	Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	获取价格
KM616V1000LG-7L	SAMSUNG	Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, SOP	获取价格
KM616V1000L-LG-45L-L	SAMSUNG	Standard SRAM, 64KX16, 45ns, CMOS, SOP	获取价格