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KM44C1002Z-8

更新时间： 2024-02-22 04:34:50

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	597K
描述
Static Column DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PZIP20, PLASTIC, ZIP-20

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KM44C1002Z-8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ZIP
包装说明：	ZIP, ZIP20,.1	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	访问模式：	STATIC COLUMN
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PZIP-T20
JESD-609代码：	e0	长度：	26.165 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STATIC COLUMN DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	ZIP	封装等效代码：	ZIP20,.1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	10.16 mm	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	2.96 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KM44C1003CJ-7	SAMSUNG	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	获取价格
KM44C1003CJ-L5	SAMSUNG	Fast Page DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	获取价格
KM44C1003CJ-L7	SAMSUNG	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	获取价格
KM44C1003CLTR-5	SAMSUNG	Fast Page DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24	获取价格
KM44C1003CLTR-6	SAMSUNG	Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24	获取价格
KM44C1003CSLJ-8	SAMSUNG	Fast Page DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24	获取价格