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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TBGA, BGA60,9X12,40/32 |
| 针数： | 60 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.75 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 15.1 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装等效代码： | BGA60,9X12,40/32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.05 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 2,4,8 |
| 最大待机电流： | 0.003 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.25 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 8.1 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K4H560438D-GCB00 | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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| K4H560438D-GCB3 | SAMSUNG | DDR 256Mb |
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| K4H560438D-GLA2 | SAMSUNG | DDR 256Mb |
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| K4H560438D-GLA20 | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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| K4H560438D-GLB0 | SAMSUNG | DDR 256Mb |
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| K4H560438D-GLB3 | SAMSUNG | DDR 256Mb |
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