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K4D26323QG-GC25

更新时间： 2024-01-09 14:49:01

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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128Mbit GDDR SDRAM

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K4D26323QG-GC25 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA144,12X12,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B144
JESD-609代码：	e0	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
端子数量：	144	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA144,12X12,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.053 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.49 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

K4D26323QG-GC25 数据手册

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128M GDDR SDRAM

K4D26323QG-GC

128Mbit GDDR SDRAM

Revision 1.2

March 2005

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev 1.2(Mar. 2005)

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K4D26323QG-GC2A	SAMSUNG	128Mbit GDDR SDRAM	获取价格
K4D26323QG-GC2A0	SAMSUNG	DDR DRAM, 4MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144	获取价格
K4D26323QG-GC33	SAMSUNG	128Mbit GDDR SDRAM	获取价格
K4D26323QG-GC330	SAMSUNG	DDR DRAM, 4MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144	获取价格
K4D26323QG-VC20	SAMSUNG	Synchronous Graphics RAM, 4MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144	获取价格
K4D26323QG-VC22	SAMSUNG	Synchronous Graphics RAM, 4MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144	获取价格

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