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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFS634A

IRFS634A PDF预览

IRFS634A

更新时间： 2024-02-18 03:02:12

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
6页	317K
描述
Advanced Power MOSEFT

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IRFS634A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRFS634A 数据手册

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与IRFS634A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFS634B	KERSEMI	250V N-Channel MOSFET	获取价格
IRFS634B	FAIRCHILD	250V N-Channel MOSFET	获取价格
IRFS635	SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRFS640	FAIRCHILD	200V N-Channel MOSFET	获取价格
IRFS640	SAMSUNG	Improved inductive ruggedness	获取价格
IRFS640A	SAMSUNG	Improved gate charge	获取价格

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