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2N6520

更新时间: 2024-01-13 18:06:33
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 110K
描述
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

2N6520 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.46集电极-发射极最大电压:350 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN (315)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz

2N6520 数据手册

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