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2N6427

更新时间: 2024-01-13 06:07:01
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管达林顿晶体管PC
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2页 72K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

2N6427 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.63最大集电极电流 (IC):0.5 A
基于收集器的最大容量:7 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):10000
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):130 MHzVCEsat-Max:1.2 V

2N6427 数据手册

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