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STK103

更新时间: 2024-02-25 03:22:55
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三合微科 - SAMHOP /
页数 文件大小 规格书
7页 100K
描述
Transistor

STK103 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.59
Base Number Matches:1

STK103 数据手册

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G
P
STK103  
a
S mHop Microelectronics Corp.  
Ver 1.1  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
Super high dense cell design for low RDS(ON)  
.
RDS(ON) (m
Ω
) Max  
VDSS  
ID  
Rugged and reliable.  
210 @ VGS=10V  
312 @ VGS=4.5V  
Suface Mount Package.  
100V  
2.0A  
D
D
G
S
D
SOT-89  
G
S
°
)
(
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA=25 C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Units  
Limit  
100  
20  
V
V
A
°
TA=25 C  
2.0  
1.6  
11  
Drain Current-Continuous a  
ID  
°
TA=70 C  
A
A
b
IDM  
-Pulsed  
Single Pulse Avalanche Energy d  
Maximum Power Dissipation  
EAS  
mJ  
W
W
20  
°
1.25  
0.8  
TA=25 C  
PD  
°
TA=70 C  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
-55 to 150  
100  
°C  
TJ TSTG  
,
THERMAL CHARACTERISTICS  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
°C/W  
JA  
Details are subject to change without notice.  
Jul,13,2011  
www.samhop.com.tw  
1

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