PTZ8.2B

更新时间： 2024-01-29 23:01:06

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		稳压二极管
页数	文件大小	规格书
5页	228K
描述
Zener diode

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PTZ8.2B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.61
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	8.2 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
最大电压容差：	6.28%	工作测试电流：	40 mA
Base Number Matches：	1

PTZ8.2B 数据手册

PTZ6.2B

Diodes

Zener diode

PTZ6.2B

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

Voltage regulation

2.6±0.2

2.0

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

zFeatures

①

②

1) Small power mold type. (PMDS)

2) High ESD tolerance

0.2±0.01

1.03

0.25

0.5

1.5±0.2

2.6±0.03

2.0±0.2

PMDS

zConstruction

Silicon epitaxial planar

zStructure

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

①

②

Manufacture Date

zTaping dimensions (Unit : mm)

2.0±0.05

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

8.0±0.1

4.0±0.1

0.3±0.1

φ1.55±0.05

2.9±0.1

8.0±0.1

2.4±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Power dissipation

Limits

Symbol

Unit

℃

1000

150

Junction temperature

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

℃

Rev.B

1/4

12 3 4 5

下载PDF

与PTZ8.2B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PTZ8.2B_1	ROHM	Zener diode	获取价格
PTZ8.2BTE25	ROHM	Zener Diode, 1W, Silicon, Unidirectional,	获取价格
PTZ8.2BTE25A	ROHM	Zener Diode, 1W, Silicon, Unidirectional	获取价格
PTZ82A	ROHM	Zener Diode, 82V V(Z), 6.1%, 1W, Silicon, Unidirectional, SURFACE MOUNT PACKAGE-2	获取价格
PTZ9.1	ROHM	Zener Diode	获取价格
PTZ9.1A	ROHM	Zener Diode, 9.05V V(Z), 6.08%, 1W, Silicon, Unidirectional, SURFACE MOUNT PACKAGE-2	获取价格