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PTZ12B

更新时间: 2024-01-29 14:42:34
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罗姆 - ROHM 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
5页 231K
描述
Zener diode

PTZ12B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-214AC
包装说明:R-PDSO-C2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.75
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-214AC
JESD-30 代码:R-PDSO-C2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:12 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
最大电压容差:5.88%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

PTZ12B 数据手册

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PTZ3.6B  
Diodes  
Zener diode  
PTZ3.6B  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Voltage regulation  
2.0  
2.6±0.2  
zFeatures  
1) Small power mold type. (PMDS)  
2) High ESD tolerance  
0.1±0.02  
ꢀꢀꢀ 0.1  
PMDS  
2.0±0.2  
1.5±0.2  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
zStructure  
ROHM : PMDS  
JEDEC : SOD-106  
EX. PTZ10B  
Manufacture Date  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3  
φ1.55±0.05  
φ1.55  
2.9±0.1  
4.0±0.1  
2.8MAX  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Power dissipation  
Limits  
1000  
Symbol  
Unit  
mW  
P
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
-55 to +150  
Tstg  
Rev.C  
1/4  

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