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BR25H010FVM-2CGTR PDF预览
型号:
BR25H010FVM-2CGTR
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产品描述:
EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, MSOP-8
应用标签:
可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
文档页数/大小:
35页 / 1449K
品牌Logo:
品牌名称:
ROHM [ ROHM ]

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是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
IHS 制造商
ROHM CO LTD
包装说明
MSOP-8
Reach Compliance Code
compliant
风险等级
5.72
其他特性
ALSO OPERATES AT 2.5V WITH 5MHZ
最大时钟频率 (fCLK)
10 MHz
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
长度
2.9 mm
内存密度
1024 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
8
字数
128 words
字数代码
128
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
128X8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
VSSOP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
筛选级别
AEC-Q100
座面最大高度
0.9 mm
串行总线类型
SPI
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
AUTOMOTIVE
端子形式
GULL WING
端子节距
0.65 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
2.8 mm
最长写入周期时间 (tWC)
4 ms
Base Number Matches
1
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BR25H010-2C
●Absolute
maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Supply Voltage
Symbol
VCC
Limits
-0.3 to +6.5
380(MSOP8)
*1
410(TSSOP-B8)
*2
Permissible Dissipation
Pd
560(SOP8)
*3
560(SOP-J8)
*4
Storage Temperature Range
Operating Temperature Range
Terminal Voltage
Tstg
Topr
-65�½�+150
-40 to +125
-0.3 to VCC+0.3
°C
°C
V
mW
Unit
V
Datasheet
・When
using at Ta=25℃ or higher, 3.1mW(*1) , 3.3mW(*2) , 4.5mW (*3,*4)to be reduced per 1℃
●Memory
cell characteristics (VCC=2.5V to 5.5V)
Limits
Parameter
Min.
1,000,000
Write Cycles
*5
500,000
300,000
100
Data Retention
*5
60
50
*5: Not 100% TESTED
Unit
Typ.
Max.
Cycles
Cycles
Cycles
Years
Years
Years
Condition
Ta
85°C
Ta
105°C
Ta
125°C
Ta
25°C
Ta
105°C
Ta
125°C
●Recommended
Operating Ratings
Parameter
Supply Voltage
Input Voltage
Symbol
VCC
Vin
Limits
2.5
to
5.5
V
0 to VCC
Unit
●Input
/ output capacity (Ta=25°C, frequency=5MHz)
Parameter
Input Capacity
*6
Output Capacity
*6
Symbol
C
IN
C
OUT
Conditions
V
IN
=GND
V
OUT
=GND
Min
Max
8
Unit
pF
8
*6: Not 100% TESTED
www.rohm.com
©2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111・15・001
2/32
TSZ02201-0R1R0G100070-1-2
27.Jan.2016 Rev.002