5秒后页面跳转
1N5230AT-88 PDF预览

1N5230AT-88

更新时间: 2024-02-12 17:15:45
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 77K
描述
Zener Diode, 4.7V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35

1N5230AT-88 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.03
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
膝阻抗最大值:1900 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:4.7 V最大反向电流:5 µA
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:1.41 mV/ °C最大电压容差:10%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

1N5230AT-88 数据手册

 浏览型号1N5230AT-88的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N5230AT-88的Datasheet PDF文件第3页 

与1N5230AT-88相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N5230A-TP MCC 暂无描述

获取价格

1N5230ATR MICROSEMI Zener Diode, 4.7V V(Z), 10%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GL

获取价格

1N5230ATRE3 MICROSEMI Zener Diode, 4.7V V(Z), 10%, 0.5W,

获取价格

1N5230AUR MICROSEMI 500 mW GLASS SURFACE MOUNT ZENER DIODES

获取价格

1N5230AUR-1 MICROSEMI Zener Diode

获取价格

1N5230AUR-1E3TR MICROSEMI Zener Diode, 4.7V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLA

获取价格