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1N4448T-11Y

更新时间: 2024-02-11 21:55:27
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罗姆 - ROHM 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 176K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,

1N4448T-11Y 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.58外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e1
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.15 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

1N4448T-11Y 数据手册

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