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QS70581-25TF

更新时间: 2024-02-15 02:12:08
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 1202K
描述
8KX18 MULTI-PORT SRAM, 25ns, PDSO100

QS70581-25TF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最长访问时间:25 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE; INTERRUPT FLAGJESD-30 代码:S-PDSO-G100
JESD-609代码:e0内存密度:147456 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:18
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED功能数量:1
端子数量:100字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX18封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:COMMERCIAL最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

QS70581-25TF 数据手册

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