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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.19 | 雪崩能效等级（Eas）： | 280 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.1 A | 最大漏源导通电阻： | 2.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12.4 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FQU4P40 | FAIRCHILD | 400V P-Channel MOSFET |
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| FQU4P40TU | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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| FQU5N15 | FAIRCHILD | 150V N-Channel MOSFET |
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| FQU5N15TU | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQU5N20 | FAIRCHILD | 200V N-Channel MOSFET |
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| FQU5N20L | FAIRCHILD | 200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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