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U07M

更新时间： 2024-01-08 11:37:19

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瑞萨 - RENESAS		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	54K
描述
1A, 1300V, SILICON, SIGNAL DIODE

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技术参数
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U07M 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	E-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.63
其他特性：	HIGH SPEED SWITCH	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	2.5 V
JESD-30 代码：	E-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	140 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ELLIPTICAL	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1300 V
最大反向恢复时间：	0.4 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

U07M 数据手册

FAST RECOVERY DIODE

U07

FEATURES

OUTLINE DRAWING

Unit in mm(inch)

• For high speed switching.

• Diffused-junction. Glass passivated and

encapsulated.

Direction of polarity

1.2

(0.05)

Color of

Type

cathode band

U07J (800V) Green

U07L (1000V) Yellow

U07M (1300V) Black

U07N (1500V) Red

Weight: 1.0 (g)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

U07J

800

U07L

1000

1300

U07M

1300

U07N

1500

Items

Type

Repetitive Peak Reverse Voltage

V_RRM

V_RSM

1000

1600

1800

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

Single-phase half sine wave 180° conduction

TL = 60°C, Lead length = 10mm

Average Forward Current

I_F(AV)

1.0

(

)

50( Without PIV, 10ms conduction, Tj = 140°C start )

10( Time = 2 ~ 10ms, I = RMS value )

-65 ~ +140

Surge(Non-Repetitive) Forward Current

I²t Limit Value

I_FSM

I²t

A²s

°C

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

T_j

T_stg

-65 ~ +200

Notes (1) Lead mounting : Lead temperature 300°C max. to 3.2mm from body for 5sec. max..

(2) Mechanical strength : Bending 90°×2 cycles or 180°×1 cycle, Tensile 3kg, Twist 90°×1 cycle.

CHARACTERISTICS(T_L=25°C)

Symbols

I_RRM

Items

Units

Min. Typ. Max.

Test Conditions

Peak Reverse Current

µA

2.0

2.5

0.4

Rated V_RRM

I_FM=1.0 Ap, Single-phase half sine

wave 1 cycle

Peak Forward Voltage

V_FM

trr

µs

Reverse Recovery Time

I_F=2mA, V_R=-15V

R_th(j-a)

R_th(j-l)

°C/W

Steady State Thermal Impedance

Lead length = 10 mm

PDE-U07-0

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