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FS20VS-6A-T11

更新时间: 2024-02-28 07:21:26
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 71K
描述
20A, 300V, 0.26ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3

FS20VS-6A-T11 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:LDPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.34
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:300 V最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.26 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FS20VS-6A-T11 数据手册

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FS20VS-6A  
High-Speed Switching Use  
Nch Power MOS FET  
REJ03G0267-0100  
Under development  
Rev.1.00  
Aug.20.2004  
Features  
Drive voltage : 10 V  
VDSS : 300 V  
r
DS(ON) (max) : 0.26  
ID : 20 A  
Outline  
LDPAK(S)-1  
2, 4  
4
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
1
2
3
3
Applications  
DC-DC, PDP, lamp ballast, etc.  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
300  
±30  
20  
Unit  
V
Conditions  
VGS = 0 V  
V
VDS = 0 V  
A
Drain current (Pulsed)  
Avalanche current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Mass  
IDM  
60  
A
IDA  
20  
A
L = 200 µH  
PD  
100  
W
°C  
°C  
g
Tch  
Tstg  
– 55 to +150  
– 55 to +150  
1.2  
Typical value  
Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 3  

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