2SJ451

更新时间： 2024-02-04 02:58:34

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
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描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ451 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ451 数据手册

2SJ451

Silicon P Channel MOS FET

REJ03G0864-0400

Rev.4.00

Sep 07, 2007

Description

Low frequency power switching

Features

•

Low on-resistance.

Low drive power

2.5 V gate drive device.

Small package (MPAK).

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Source

2. Gate

3. Drain

Note: Marking is “ZK–”.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

–20

Unit

±20

–0.2

Note 1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

–0.4

Channel dissipation

Pch

Tch

Tstg

150

°C

Channel temperature

Storage temperature

150

–55 to +150

Note: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

REJ03G864-0400 Rev.4.00 Sep 07, 2007

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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