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2SJ387L-E

更新时间: 2024-02-12 00:44:36
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲ISM频段
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
Silicon P Channel MOS FET

2SJ387L-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-63
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.65
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:0.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):20 W最大脉冲漏极电流 (IDM):40 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:20晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ387L-E 数据手册

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2SJ387(L), 2SJ387(S)  
Silicon P Channel MOS FET  
REJ03G0862-0200  
(Previous: ADE-208-1196)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Description  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
Low drive current  
2.5 V Gate drive device can be driven from 3 V Source  
Suitable for Switching regulator, DC-DC converter  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B  
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C  
(Package name: DPAK (L)-(2) )  
(Package name: DPAK (S) )  
4
4
D
1. Gate  
1
2
3
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
G
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7  

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