是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | TO-3P |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.2 | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 100 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ353 | NEC | P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
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2SJ355 | NEC | P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING |
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2SJ355(0)-T1-AY | RENESAS | 2SJ355(0)-T1-AY |
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2SJ355-AZ | RENESAS | 2SJ355-AZ |
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2SJ355-AZ | NEC | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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2SJ355-T1-AZ | NEC | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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