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2SJ352-E

更新时间: 2024-01-02 10:35:20
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 70K
描述
Silicon P Channel MOS FET

2SJ352-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.2外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A最大漏极电流 (ID):8 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):100 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ352-E 数据手册

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2SJ351, 2SJ352  
Silicon P Channel MOS FET  
REJ03G0860-0200  
(Previous: ADE-208-1193)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Description  
Low frequency power amplifier  
Complementary pair with 2SK2220, 2SK2221  
Features  
High power gain  
Excellent frequency response  
High speed switching  
Wide area of safe operation  
Enhancement-mode  
Good complementary characteristics  
Equipped with gate protection diodes  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A  
(Package name: TO-3P)  
D
1. Gate  
2. Source (Flange)  
3. Drain  
G
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 5  

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