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2SJ130STL-E

更新时间: 2024-01-14 11:19:34
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲ISM频段
页数 文件大小 规格书
6页 71K
描述
Silicon P Channel MOS FET

2SJ130STL-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DPAK(L)-(1)包装说明:SC-63, DPAK-3
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.31
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A最大漏极电流 (ID):1 A
最大漏源导通电阻:8.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):20 W最大脉冲漏极电流 (IDM):2 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:20晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ130STL-E 数据手册

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2SJ160, 2SJ161, 2SJ162  
Silicon P Channel MOS FET  
REJ03G0847-0200  
(Previous: ADE-208-1182)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Description  
Low frequency power amplifier  
Complementary pair with 2SK1056, 2SK1057 and 2SK1058  
Features  
Good frequency characteristic  
High speed switching  
Wide area of safe operation  
Enhancement-mode  
Good complementary characteristics  
Equipped with gate protection diodes  
Suitable for audio power amplifier  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A  
(Package name: TO-3P)  
D
1. Gate  
2. Source (Flange)  
3. Drain  
G
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 5  

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