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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> 1.5FMCJ12A-W
1.5FMCJ12A-W PDF预览

1.5FMCJ12A-W

更新时间： 2024-01-05 06:16:14
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 38K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 10.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2

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1.5FMCJ12A-W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AB
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.3
其他特性：LOW ZENER IMPEDANCE最大击穿电压：13.2 V
最小击穿电压：10.8 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214ABJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：265
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：9.72 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

1.5FMCJ12A-W 数据手册

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TVS  
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
1.5FMCJ  
SERIES  
SEMICONDUCTOR  
SURFACE MOUNT GPP  
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR  
1500 WATT PEAK POWER 5.0 WATTS STEADY STATE  
FEATURES  
* Plastic package has underwriters laboratory  
* Glass passivated chip construction  
* 1500 watt surage capability at 1ms  
* Excellent clamping capability  
* Low zener impedance  
DO-214AB  
* Fast response time  
(
)
0.125 3.17  
(
)
)
0.245 6.22  
(
)
0.115 2.92  
(
0.220 5.59  
(
)
0.280 7.11  
(
)
0.260 6.60  
(
)
0.012 0.305  
(
)
0.006 0.152  
(
)
0.103 2.62  
(
)
0.079 2.06  
(
)
0.060 1.52  
(
)
)
0.008 0.203  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
(
)
0.030 0.76  
(
0.004 0.102  
(
)
0.320 8.13  
(
)
0.305 7.75  
Dimensions in inches and (millimeters)  
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS  
For Bidirectional use C or CA suffix for types 1.5FMCJ6.8 thru 1.5FMCJ200  
Electrical characteristics apply in both direction  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
SYMBOL  
VALUE  
UNITS  
RATINGS  
P
PPM  
Minimum 1500  
Watts  
Peak Power Dissipation with a 10/1000uS ( Note 1,2, Fig.1 )  
Peak Pulse Current with a 10/1000uS Waveform  
( Note 1, Fig.3 )  
I
PPM  
SEE TABLE 1  
Amps  
Watts  
Steady State Power Dissipation at TL  
= 75oC ( Note 2 )  
P
M(AV)  
5.0  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine wave-  
superimmposed on rated load( JEDEC METHOD )( Note 2,3 )  
I
FSM  
200  
Amps  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50A for unidirectional only  
( Note 3,4 )  
V
F
SEE NOTES 4  
-55 to + 150  
Volts  
0 C  
T
J
, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
2003-12  
NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T  
A
= 25oC per Fig.2.  
2. Mounted on 0.31 X 0.31” (8.0 X 8.0mm) copper pads to each terminal.  
3. Measured on 8.3mS single half sine-wave or equivaient square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.  
4. V = 3.5V on 1.5FMCJ6.8 thru 1.5FMCJ90 diveces and VF = 5.0V on 1.5FMCJ100 thru 1.5FMCJ400 devices.  
F
12345

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