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4N27

更新时间: 2024-01-21 17:44:57
品牌 Logo 应用领域
QT 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 613K
描述
GAAS INFRARED EMITTING DIODE

4N27 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.40.80.00风险等级:5.18
其他特性:UL RECOGNIZED, VDE APPROVEDColl-Emtr Bkdn Voltage-Min:30 V
配置:SINGLE当前传输比率-最小值:10%
标称电流传输比:10%最大暗电源:50 nA
最大正向电流:0.06 A最大正向电压:1.5 V
最大绝缘电压:5300 V安装特点:SURFACE MOUNT
元件数量:1最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-55 °C光电设备类型:TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散:0.16 W子类别:Optocoupler - Transistor Outputs
表面贴装:YESBase Number Matches:1

4N27 数据手册

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