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PUMH4,115

更新时间: 2024-02-09 11:57:21
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
8页 64K
描述
PEMH4; PUMH4 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOhm, R2 = open TSSOP 6-Pin

PUMH4,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSSOP包装说明:PLASTIC, SC-88, 6 PIN
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.25其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:3.5 pF
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.4 W最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

PUMH4,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PEMH4; PUMH4  
NPN/NPN resistor-equipped  
transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = open  
Product data sheet  
2004 Apr 14  
Supersedes data of 2003 Oct 02  

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