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PDTC114EE

更新时间: 2024-02-11 17:55:45
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 91K
描述
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm

PDTC114EE 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SC-70包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.1Is Samacsys:N
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PDTC114EE 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PDTC114E series  
NPN resistor-equipped transistor;  
R1 = 10 k, R2 = 10 kΩ  
Product specification  
2004 Aug 05  
Supersedes data of 2003 Apr 10  

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