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N0118GA

更新时间： 2024-02-04 00:51:31

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恩智浦 - NXP		栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	799K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.8 A, 600 V, SCR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN

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N0118GA 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.71	其他特性：	SENSITIVE GATE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.007 mA
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
最大均方根通态电流：	0.8 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

N0118GA 数据手册

N0118GA

SCR

Rev. 1 — 11 July 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Planar passivated ultra sensitive gate Silicon Controlled Rectifier in a SOT54 (T0-92)

plastic package.

1.2 Features and benefits

 High voltage capability

 Ultra sensitive gate

 Planar passivated for voltage

ruggedness and reliability

1.3 Applications

 Electronic ballasts

 Sensing circuits

 Safety shut down and protection

 Smoke detectors

circuits

 Switched Mode Power Supplies

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DRM

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

repetitive peak

off-state voltage

600

V_RRM

I_TSM

repetitive peak reverse

voltage

non-repetitive peak

on-state current

half sine wave; T_j(init)= 25 °C;

t_p= 10 ms; see Figure 4;

see Figure 5

I_T(AV)

average on-state

current

half sine wave; T_lead≤ 67 °C;

see Figure 3

0.51

0.8

I_T(RMS)

RMS on-state current half sine wave; T_lead≤ 67 °C;

see Figure 1; see Figure 2

Static characteristics

I_GTgate trigger current

V_D= 12 V; I_T= 10 mA;

T_j= 25 °C; see Figure 7

0.5

µA

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
N018RH08KOO	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 32.97A I(T)RMS, 40000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El	获取价格
N018RH12KOO	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 32.97A I(T)RMS, 40000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1	获取价格
N018RH14KOO	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 32.97A I(T)RMS, 40000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1	获取价格
N0194WC120	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 391A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,	获取价格
N0194WC120-160	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 392A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element	获取价格
N0194WC140	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 391A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element	获取价格