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BYQ28EB-100

更新时间: 2024-02-11 11:36:27
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 125K
描述
DIODE 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYQ28EB-100 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.37
其他特性:SURGE CAPABILITY应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.25 VJESD-30 代码:R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流:55 A元件数量:2
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向恢复时间:0.025 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

BYQ28EB-100 数据手册

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