5秒后页面跳转
BSP130-T PDF预览

BSP130-T

更新时间: 2024-02-01 08:05:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
12页 80K
描述
TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

BSP130-T 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.14
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:300 V最大漏极电流 (ID):0.3 A
最大漏源导通电阻:8 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):1.4 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSP130-T 数据手册

 浏览型号BSP130-T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSP130-T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSP130-T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSP130-T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSP130-T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSP130-T的Datasheet PDF文件第7页 
DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
age  
BSP130  
N-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
Product specification  
2001 Dec 11  
Supersedes data of 1997 Jun 23  

与BSP130-T相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BSP130T/R ETC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 300MA I(D) | SOT-223

获取价格

BSP130-TAPE-13 NXP TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

获取价格

BSP130-TAPE-7 NXP TRANSISTOR 0.3 A, 300 V, 8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

获取价格

BSP135 INFINEON SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)

获取价格

BSP135_10 INFINEON SIPMOS Small-Signal-Transistor

获取价格

BSP135H6327 INFINEON Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格