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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.7 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码： | SOT-115J | 电源： | 24 V |
| 子类别： | RF/Microwave Amplifiers | 最大压摆率： | 435 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BGD906,112 | NXP | RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT- |
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| BGD906L | NXP | CATV amplifier module |
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| BGD906MI | NXP | CATV amplifier modules |
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| BGE.0M.200.XAZ | ETC | CONN RCPT CAP FOR .0M. |
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| BGE.1M.200.XAZ | ETC | CONN RCPT CAP FOR .1M. |
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| BGE.2M.200.XAZ | ETC | CONN CAP FOR .2M. RCPT |
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