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74F219AN

更新时间: 2024-01-05 02:14:44
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
12页 95K
描述
IC 16 X 4 STANDARD SRAM, 8 ns, PDIP16, Static RAM

74F219AN 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.77
最长访问时间:20 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G16
长度:10.3 mm内存密度:64 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:16
字数:16 words字数代码:16
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16X4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.65 mm最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.5 mmBase Number Matches:1

74F219AN 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
74F219A  
64-bit TTL bipolar RAM, non-inverting  
(3-State)  
Product specification  
IC15 Data Handbook  
1996 Jan 05  
Philips  
Semiconductors  

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