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74AUP1G07GS

更新时间： 2024-01-09 15:17:42

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恩智浦 - NXP		/
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18页	139K
描述
Low-power buffer with open-drain output

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74AUP1G07GS 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSSOT	包装说明：	TSSOP, TSSOP5/6,.08
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e3	长度：	2.05 mm
负载电容（CL）：	30 pF	逻辑集成电路类型：	BUFFER
最大I（ol）：	0.0017 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	1
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出特性：	OPEN-DRAIN
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP5/6,.08	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.2/3.3 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	13 ns
传播延迟（tpd）：	20.7 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	1.1 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.1 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1.25 mm	Base Number Matches：	1

74AUP1G07GS 数据手册

74AUP1G07

Low-power buffer with open-drain output

Rev. 4 — 2 September 2010

Product data sheet

1. General description

The 74AUP1G07 provides the single non-inverting buffer with open-drain output. The

output of the device is an open drain and can be connected to other open-drain outputs to

implement active-LOW wired-OR or active-HIGH wired-AND functions.

Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall

times across the entire V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire

_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device is fully specified for partial power-down applications using I_OFF

The I_OFFcircuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through

the device when it is powered down.

2. Features and benefits

Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V

High noise immunity

Complies with JEDEC standards:

JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)

JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)

JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)

JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)

JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)

ESD protection:

HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V

MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V

Low static power consumption; I_CC= 0.9 μA (maximum)

Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II

Inputs accept voltages up to 3.6 V

Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V_CC

I_OFFcircuitry provides partial Power-down mode operation

Multiple package options

Specified from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C

12 3 4 5 6 7...18

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与74AUP1G07GS相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
74AUP1G07GW	NEXPERIA	Low-power buffer with open-drain outputProduction	获取价格
74AUP1G07GW	NXP	Low-power buffer with open-drain output	获取价格
74AUP1G07GW,125	NXP	74AUP1G07 - Low-power buffer with open-drain output TSSOP 5-Pin	获取价格
74AUP1G07GW-G	NXP	暂无描述	获取价格
74AUP1G07GW-Q100	NEXPERIA	Low-power buffer with open-drain outputProduction	获取价格
74AUP1G07GX	NXP	AUP/ULP/V SERIES, 1-INPUT NON-INVERT GATE, PDSO5, 0.80 X 0.80 MM, 0.35 MM HEIGHT, PLASTIC,	获取价格

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