2N7002CK

更新时间： 2024-02-16 13:08:04

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管
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13页	77K
描述
60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET

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2N7002CK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2N7002CK 数据手册

2N7002CK

60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET

Rev. 01 — 11 September 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

ESD protected N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using

Trench MOSFET technology.

1.2 Features

I Logic-level compatible

I Very fast switching

I Trench MOSFET technology

I ESD protection up to 3 kV

1.3 Applications

I Relay driver

I High-speed line driver

I Low-side loadswitch

I Switching circuits

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

300

1.2

I_DM

peak drain current

single pulse;

t_p≤ 10 µs

R_DSon

drain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V;

I_D= 500 mA

1.1

1.6

Ω

12 3 4 5 6 7...13

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